一、快充技術(shù)的興起

隨著信息技術(shù)的發(fā)展，特別是互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，人們的日常生活越來越離不開手機平板等通訊終端類產(chǎn)品，且其屏幕越做越大, CPU也由原來的單核雙核發(fā)展到如今的八核十核, 而且還在加速向前發(fā)展, 這些變化都要求產(chǎn)品在在供電部分不得不做提高, 電池容量是否足夠多? 充電速度是否足夠快? 成了消費者關(guān)心的問題. 最直接有效的解決辦法無非有兩種: a. 直接使用大容量電池,  b. 使用快速充電技術(shù).電池容量增大無疑要增加產(chǎn)品重量，這又不符合人們輕便的要求。于是快充技術(shù)QC2.0認(rèn)證應(yīng)運而生。

二、快充技術(shù)主要分類

OPPO VOOC：通過提高充電電流來實現(xiàn)快速充電的目的

USB 3.1 PD充電規(guī)范: USB PD根據(jù)可供電功率設(shè)定了10W, 18W,36W,60W,100W五級, 而USB Type-C連接器可支持100W（20V，5A）

高通Quick Charge 2.0：通過調(diào)整電壓和電流的方法來提高充電功率, 主要使用高通驍龍800系列芯片。

聯(lián)發(fā)科 Pump Express Plus: 通過調(diào)整電壓和電流的方法來提高充電功率, 主要使用聯(lián)發(fā)科MT6732,MT6595等芯片。

今天重點給大家介紹下高通QC2.0

1、什么是QC2.0快充技術(shù)?

QC2.0是高通在2014年推出的一種充電規(guī)范, 分Class A 和Class B:

A類:  5V, 9V, 12V

B類:  5V, 9V, 12V, 20V

充電電流則有1A提升到1.6A, 3A

通過microUSB接口中間兩線（D+D-）上加載電壓來進(jìn)行通訊, 前端有識別芯片對D+D-上的電壓進(jìn)行識別, 高通Snapdragon 800系列芯片自動識別充電設(shè)備類型, 依據(jù)充電協(xié)議于設(shè)備握手, 使之獲得設(shè)備容許的安全最高充電電壓, 在保護充電設(shè)備的前提下快速充電充電電流限額的情況下增加輸出電壓, 如果檢測到設(shè)備不再Q(mào)C2.0協(xié)議范圍內(nèi), 則輸出調(diào)整到充電5V電壓模式下.目前,高通官網(wǎng)給出的數(shù)據(jù)是, 30分鐘可為3300mA的電池充入60%電量。

該技術(shù)優(yōu)點是,不改變MicroUSB充電接口, 普通數(shù)據(jù)線就能滿足電壓電流要求。

2、QC2.0工作原理簡析

1. 主要器件組成: 高通驍龍800系列芯片+ 識別芯片(如CHY100, FP6600等)

原理簡圖如下:

電壓調(diào)整原理如下(以5V調(diào)整到9V為例)：

充電器默認(rèn)為D+D-短接(通過MOS管實現(xiàn)), DCP(dedicated charger port)模式(5V輸出)

1) 如果手機端使用了QC2.0協(xié)議，HVDCP(high voltage dedicated charger port)進(jìn)程啟動，在D+上加載0.325V的電壓維持超過1.25s

2) 快充充電器檢測到D+上電壓0.325V維持超過了1.25s，就斷開D+和D-的短接，D-上的電壓不再跟隨D+上的電壓0.325V變動，D-電壓開始下降；

3) 手機端檢測到D-上的電壓從0.325V開始下降維持1ms以上時，HVDCP讀取/sys/class/power_supply/usb/voltage_max的值，如果是9000000mV，就設(shè)置D+上的電壓為3.3V，D-上 的電壓為0.6V，否則設(shè)置D+為0.6V，D-為0V；

4) 充電器檢測到D+和D-上的電壓后，就調(diào)整充電器輸出電壓到9V。

以上，簡單講了QC2.0技術(shù)，那么使用了該技術(shù)的產(chǎn)品想必希望在產(chǎn)品上mark出快充圖標(biāo)，如下圖所示：

如果要標(biāo)記以上類型的快充圖標(biāo)，必須要通過相關(guān)的要求，目前，UL與高通合作，推出了ULQC2.0認(rèn)證，獲得了相關(guān)測試和評估后，方能在產(chǎn)品上標(biāo)記快充圖標(biāo)，也由此表明產(chǎn)品的可靠性能。（原文轉(zhuǎn)自：巴倫檢測）了解更多QC2.0認(rèn)證資訊，請登陸微測官網(wǎng)：chengyi1.cn,或撥打免費咨詢熱線：400-666-1678！